NXP Semiconductors PDTD123ET,215

PDTD123ET,215
제조업체 부품 번호
PDTD123ET,215
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD123ET,215 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 37.74513
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD123ET,215 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD123ET,215 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD123ET,215가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD123ET,215 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD123ET,215 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD123ET,215
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD123E Series
PCN 설계/사양Resin Hardener 02/Jul/2013
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23(TO-236AB)
표준 포장 3,000
다른 이름568-6440-2
934058977215
PDTD123ET T/R
PDTD123ET T/R-ND
PDTD123ET,215-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD123ET,215
관련 링크PDTD123, PDTD123ET,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD123ET,215 의 관련 제품
RES SMD 200 OHM 0.5% 1/32W 0201 CPF0201D200RE1.pdf
RF Modulator IC 100MHz ~ 4GHz 48-VFQFN Exposed Pad HMC1197LP7FETR.pdf
3DA41C CHINA TO-6 3DA41C.pdf
XC61GN3302HR TOREX QFN XC61GN3302HR.pdf
TMP90CR74ADF7171 TOSHIBA QFP TMP90CR74ADF7171.pdf
HCT502FA HOP DIP HCT502FA.pdf
HCNW6N137 HEWLETT PDIP8 HCNW6N137.pdf
AQY210HLAZ Panasoni SOP4 AQY210HLAZ.pdf
BZX55B16 ST DO-35 BZX55B16.pdf
SUM85N15 VISHAY SOT263 SUM85N15.pdf
RT9703PS RICHTEK SOP8 RT9703PS.pdf