홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTD113EUF

NXP Semiconductors PDTD113EUF

PDTD113EUF
제조업체 부품 번호
PDTD113EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTD113EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTD113EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTD113EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTD113EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTD113EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTD113EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTD113EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTD1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션225MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068341135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTD113EUF
관련 링크PDTD11, PDTD113EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTD113EUF 의 관련 제품
4.7µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1210 (3528 Metric) 3.16 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) TRJB475M016RRJ.pdf
2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 950mA 90 mOhm Max 0402 (1005 Metric) S0402-2N2H2S.pdf
AT91RM3400-DK Atmel SMD or Through Hole AT91RM3400-DK.pdf
LMTZJ11B LRC DO-35 LMTZJ11B.pdf
AM79C874VL N/A NC AM79C874VL.pdf
AP4936SM Advanced SOP8 AP4936SM.pdf
T345N26TOF EUPEC SMD or Through Hole T345N26TOF.pdf
41.31.9.024.0010 FINDER SMD or Through Hole 41.31.9.024.0010.pdf
HEPS-9620 HP DIP-6p HEPS-9620.pdf
TLV5620IDRG4 TI SOP TLV5620IDRG4.pdf
PMB7725H V1.316 ORIGINAL SMD or Through Hole PMB7725H V1.316.pdf