NXP Semiconductors PDTC123EMB,315

PDTC123EMB,315
제조업체 부품 번호
PDTC123EMB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTC123EMB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99.58290
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTC123EMB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTC123EMB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTC123EMB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTC123EMB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTC123EMB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTC123EMB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 10,000
다른 이름934065948315
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTC123EMB,315
관련 링크PDTC123E, PDTC123EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTC123EMB,315 의 관련 제품
68µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C EEA-GA1E680H.pdf
6800pF 250V 세라믹 커패시터 CH 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C3216CH2E682J160AA.pdf
EI430854N AKI DIP16 EI430854N.pdf
BLS102SURCA110 KIBGBRIGHT ROHS BLS102SURCA110.pdf
NLV14027BDG ONS Call NLV14027BDG.pdf
UDA1325N101C PHILIPS DIP-42 UDA1325N101C.pdf
L79L08ACUTR ST SOT-89 L79L08ACUTR.pdf
STR755FROT6 ST QFP64 STR755FROT6.pdf
CR63-102-JE ASJ SMD or Through Hole CR63-102-JE.pdf
THCR50E2D334MT NIPPON SMD THCR50E2D334MT.pdf
MC5307FT90B MOT SMD or Through Hole MC5307FT90B.pdf
D05D0515-1W MICRODC DIP D05D0515-1W.pdf