홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » PDTB123EUF

NXP Semiconductors PDTB123EUF

PDTB123EUF
제조업체 부품 번호
PDTB123EUF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
데이터 시트 다운로드
다운로드
PDTB123EUF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 63.25860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PDTB123EUF 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PDTB123EUF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PDTB123EUF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PDTB123EUF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PDTB123EUF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PDTB123EUF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB1zzzU Series
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션140MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SC-70
표준 포장 10,000
다른 이름934068335135
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB123EUF
관련 링크PDTB12, PDTB123EUF 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PDTB123EUF 의 관련 제품
1000pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) C941U102KVYDBAWL35.pdf
TVS DIODE 64.1VWM 103VC MELF TGL41-75A-E3/97.pdf
SS80EM-COOZY-02 FUJITSU QFP SS80EM-COOZY-02.pdf
MT52C9020 MT PLCC52 MT52C9020.pdf
QMV1005 NORTEL BGA QMV1005.pdf
R325CH12CG0 WESTCODE SMD or Through Hole R325CH12CG0.pdf
TLC2551EVM TI SMD or Through Hole TLC2551EVM.pdf
HF12FF(JQC-12FF) ORIGINAL SMD or Through Hole HF12FF(JQC-12FF).pdf
24LC16T-I/SL MICROCHIP SOP 24LC16T-I/SL.pdf
K2558 ORIGINAL TO-3PL K2558.pdf
LM18030 ORIGINAL SMD or Through Hole LM18030.pdf
UPD9020GD NEC QFP-160 UPD9020GD.pdf