창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTA123EU,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDTA123EU T/R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934057532115 PDTA123EU T/R PDTA123EU T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTA123EU,115 | |
| 관련 링크 | PDTA123, PDTA123EU,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SC-10-100 | 1mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 10A DCR 20 mOhm | SC-10-100.pdf | |
| TE2500B1R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 2500W | TE2500B1R0J.pdf | ||
![]() | ERJ-6ENF6800V | RES SMD 680 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF6800V.pdf | |
![]() | CRCW201059K0FKEFHP | RES SMD 59K OHM 1% 1W 2010 | CRCW201059K0FKEFHP.pdf | |
![]() | CP000524K00JE143 | RES 24K OHM 5W 5% AXIAL | CP000524K00JE143.pdf | |
![]() | SR16C-J5 | Magnetic Hall Effect Sensor Ferrous Vane Digital Wire Leads Slotted Body | SR16C-J5.pdf | |
![]() | H13-1818A-5 | H13-1818A-5 HARRIS DIP | H13-1818A-5.pdf | |
![]() | SSM5P16FE(TE85LF) | SSM5P16FE(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole | SSM5P16FE(TE85LF).pdf | |
![]() | TSBA3AA82 | TSBA3AA82 TI BGA | TSBA3AA82.pdf | |
![]() | D60N800N | D60N800N AEG SMD or Through Hole | D60N800N.pdf | |
![]() | LDB20C201A900E | LDB20C201A900E MuRata SMD or Through Hole | LDB20C201A900E.pdf |