창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD85015STR-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD85015(S)-E | |
| 기타 관련 문서 | PD85015-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 870MHz | |
| 이득 | 16dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | 5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 150mA | |
| 전력 - 출력 | 15W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12511-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD85015STR-E | |
| 관련 링크 | PD85015, PD85015STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 87016C 3321FC | 87016C 3321FC ORIGINAL LCC20 | 87016C 3321FC.pdf | |
![]() | ICS83841BN | ICS83841BN ICS BGA | ICS83841BN.pdf | |
![]() | KMAFN0000M-S998000 | KMAFN0000M-S998000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KMAFN0000M-S998000.pdf | |
![]() | NS252AL | NS252AL NS PLCC | NS252AL.pdf | |
![]() | H5N2901LSTL-E | H5N2901LSTL-E RENESAS TO-263 | H5N2901LSTL-E.pdf | |
![]() | MAU103 | MAU103 MINMAX SIP | MAU103.pdf | |
![]() | AS1CR835HLF | AS1CR835HLF ORIGINAL SMD or Through Hole | AS1CR835HLF.pdf | |
![]() | RT9011-DFGJ6 | RT9011-DFGJ6 RICHTEK TSOT-23-6 | RT9011-DFGJ6.pdf | |
![]() | DM1133 | DM1133 SITI QFN | DM1133.pdf | |
![]() | CXD8062R | CXD8062R SONY SMD or Through Hole | CXD8062R.pdf | |
![]() | TG111-E12NYNRL | TG111-E12NYNRL HALO SMD or Through Hole | TG111-E12NYNRL.pdf |