창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD57070-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD57070(S)-E | |
기타 관련 문서 | PD57070-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 945MHz | |
이득 | 14.7dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | 7A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 250mA | |
전력 - 출력 | 70W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-6721-5 PD57070-E-ND PD57070E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD57070-E | |
관련 링크 | PD570, PD57070-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
ECW-H20512JVB | 5100pF Film Capacitor 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.295" W (23.00mm x 7.50mm) | ECW-H20512JVB.pdf | ||
IPI076N12N3GAKSA1 | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 | IPI076N12N3GAKSA1.pdf | ||
MDR-167-1 | RELAY | MDR-167-1.pdf | ||
Y14555K00000A0R | RES SMD 5K OHM 0.05% 1/5W 1506 | Y14555K00000A0R.pdf | ||
AD848JRZG4-REEL7 | AD848JRZG4-REEL7 AD Original | AD848JRZG4-REEL7.pdf | ||
RC0603 J 100RY | RC0603 J 100RY ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603 J 100RY.pdf | ||
ADE-R2ASKLH | ADE-R2ASKLH MINI SMD or Through Hole | ADE-R2ASKLH.pdf | ||
ICS2494MZ | ICS2494MZ ORIGINAL SMD | ICS2494MZ.pdf | ||
S44234CP | S44234CP AMS DIP-16 | S44234CP.pdf | ||
1206-332K500NT | 1206-332K500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206-332K500NT.pdf | ||
6569ACR | 6569ACR intersil QFN | 6569ACR.pdf | ||
22-01-3077 | 22-01-3077 MOLEX NA | 22-01-3077.pdf |