창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD57018STR-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD57018(S)-E | |
| 기타 관련 문서 | PD57018-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 945MHz | |
| 이득 | 16.5dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 2.5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 18W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | 497-6476-2 PD57018STR-E-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD57018STR-E | |
| 관련 링크 | PD57018, PD57018STR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B43504C2128M | 1200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 120 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504C2128M.pdf | |
![]() | 2220AC104KAT1A | 0.10µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220AC104KAT1A.pdf | |
![]() | 1330-66G | 82µH Unshielded Inductor 88mA 7.3 Ohm Max 2-SMD | 1330-66G.pdf | |
![]() | DSP56F807VF80E1 | DSP56F807VF80E1 FREESCAL BGA | DSP56F807VF80E1.pdf | |
![]() | STK7226 | STK7226 SANYO DIP | STK7226.pdf | |
![]() | KAA4 | KAA4 AT&T Module CP | KAA4.pdf | |
![]() | HC4D-HP-AC115V | HC4D-HP-AC115V ARM SMD or Through Hole | HC4D-HP-AC115V.pdf | |
![]() | EMVE630GTR221MLH0S | EMVE630GTR221MLH0S NIPPON SMD or Through Hole | EMVE630GTR221MLH0S.pdf | |
![]() | P2N2907AZL1G | P2N2907AZL1G ONS Call | P2N2907AZL1G.pdf | |
![]() | UC140 | UC140 SI CAN | UC140.pdf | |
![]() | P0692670H | P0692670H sumitomo SMD or Through Hole | P0692670H.pdf | |
![]() | 216P6TZAGA12E(Moility M6-P) | 216P6TZAGA12E(Moility M6-P) ORIGINAL BGA | 216P6TZAGA12E(Moility M6-P).pdf |