창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD55035-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD55035(S)-E | |
| 기타 관련 문서 | PD55035-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 500MHz | |
| 이득 | 16.9dB | |
| 전압 - 테스트 | 12.5V | |
| 정격 전류 | 7A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 200mA | |
| 전력 - 출력 | 35W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-6717-5 PD55035-E-ND PD55035E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD55035-E | |
| 관련 링크 | PD550, PD55035-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1812GC100KAT1A\SB | 10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC100KAT1A\SB.pdf | |
![]() | 53309-1671 | 53309-1671 MOLEX SMD or Through Hole | 53309-1671.pdf | |
![]() | MF25C1651FT | MF25C1651FT RGALLEN SMD or Through Hole | MF25C1651FT.pdf | |
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![]() | OP184EP | OP184EP AD DIP8 | OP184EP.pdf | |
![]() | SA52372001 | SA52372001 HIT SDIP28 | SA52372001.pdf | |
![]() | GRM2161X1H151JZ01D | GRM2161X1H151JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM2161X1H151JZ01D.pdf | |
![]() | TC96C555MJA | TC96C555MJA TELCOM DIP | TC96C555MJA.pdf | |
![]() | VS7385XYV | VS7385XYV VITESSE BGA | VS7385XYV.pdf | |
![]() | CL31B105MONE(16v) | CL31B105MONE(16v) SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31B105MONE(16v).pdf |