창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C4V7-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | PD3Z284C4V77 PD3Z284C4V7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD3Z284C4V7-7 | |
관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C4V7-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CRGV0603F232K | RES SMD 232K OHM 1% 1/10W 0603 | CRGV0603F232K.pdf | |
![]() | CR2010-JW-681ELF | RES SMD 680 OHM 5% 1/2W 2010 | CR2010-JW-681ELF.pdf | |
![]() | CMF501K2700FHEB | RES 1.27K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501K2700FHEB.pdf | |
![]() | SC6579 SC7313 | SC6579 SC7313 SL SMD | SC6579 SC7313.pdf | |
![]() | AR3653-26 | AR3653-26 FAI DIP | AR3653-26.pdf | |
![]() | CD4066BE | CD4066BE TI DIP | CD4066BE .pdf | |
![]() | ICVL0505101V150FR(ICT) | ICVL0505101V150FR(ICT) N/A N A | ICVL0505101V150FR(ICT).pdf | |
![]() | P0-670 | P0-670 ORIGINAL SMD or Through Hole | P0-670.pdf | |
![]() | AWT6133RM7P8 | AWT6133RM7P8 ANADIGICS QFN | AWT6133RM7P8.pdf | |
![]() | BT169-G T/R | BT169-G T/R UTC TO92 | BT169-G T/R.pdf | |
![]() | ABN111G | ABN111G ORIGINAL SMD or Through Hole | ABN111G.pdf | |
![]() | BRT13-H-X006 | BRT13-H-X006 VISHAY DIP6 | BRT13-H-X006.pdf |