창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD3Z284C2V4-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD3Z284C2V4 - PD3Z284C39 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±8% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerDI™ 323 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI™ 323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | PD3Z284C2V47 PD3Z284C2V4DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD3Z284C2V4-7 | |
| 관련 링크 | PD3Z284, PD3Z284C2V4-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RNCF2010DKT200K | RES SMD 200K OHM 0.5% 1/3W 2010 | RNCF2010DKT200K.pdf | |
![]() | E3F2-R4B4-E | SENSOR RETRO 5M CABLE PNP | E3F2-R4B4-E.pdf | |
![]() | CMPD3003C | CMPD3003C CENTRAL SMD or Through Hole | CMPD3003C.pdf | |
![]() | SCDS3D16T-R47N | SCDS3D16T-R47N YAGEO SMD | SCDS3D16T-R47N.pdf | |
![]() | GB321611J800TM | GB321611J800TM ORIGINAL 1206 | GB321611J800TM.pdf | |
![]() | 5574 42 | 5574 42 ORIGINAL SIP16 | 5574 42.pdf | |
![]() | TF10BN0.50 | TF10BN0.50 KOA SMD | TF10BN0.50.pdf | |
![]() | RF234P-C06 | RF234P-C06 ATMEL SMD or Through Hole | RF234P-C06.pdf | |
![]() | BR24L32GU-WE2 | BR24L32GU-WE2 ORIGINAL SMD or Through Hole | BR24L32GU-WE2.pdf | |
![]() | BCM7406ZFEB01G | BCM7406ZFEB01G BROADCOM SMD or Through Hole | BCM7406ZFEB01G.pdf | |
![]() | BZX55C10-TP | BZX55C10-TP MCC SMD or Through Hole | BZX55C10-TP.pdf | |
![]() | 81F641642A-100LFN | 81F641642A-100LFN ORIGINAL TSOP54 | 81F641642A-100LFN.pdf |