홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » PD20010S-E

STMicroelectronics PD20010S-E

PD20010S-E
제조업체 부품 번호
PD20010S-E
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
데이터 시트 다운로드
다운로드
PD20010S-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 16,565.23500
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PD20010S-E 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. PD20010S-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PD20010S-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PD20010S-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PD20010S-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PD20010S-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PD20010-E
기타 관련 문서PD20010-E View All Specifications
제품 교육 모듈RF Power and RF Power Transistors
Dynamic NFC / RFID Tag
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체STMicroelectronics
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압 - 테스트13.6V
정격 전류5A
잡음 지수-
전류 - 테스트150mA
전력 - 출력10W
전압 - 정격40V
패키지/케이스PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead)
공급 장치 패키지PowerSO-10RF(직선 리드(Lead))
표준 포장 50
다른 이름PD20010SE
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PD20010S-E
관련 링크PD2001, PD20010S-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
PD20010S-E 의 관련 제품
12µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C EEU-FC1J120.pdf
0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.150" Dia x 0.290" L(3.81mm x 7.37mm) SA305C104MAR.pdf
UPD8039LC NEC DIP UPD8039LC.pdf
710379-A ORIGINAL QFP144 710379-A.pdf
NX5032GA-30MH NDK SMD NX5032GA-30MH.pdf
AFPI1005221NT ARLITECH SMD AFPI1005221NT.pdf
TSC87251A1A-A16TI ATMEL PLCC44 TSC87251A1A-A16TI.pdf
S-24C08AF. SEIKO SOP S-24C08AF..pdf
VCR5P i CAN4 VCR5P.pdf
IBM25PPC405GP-3BE266 IBM BGA IBM25PPC405GP-3BE266.pdf
D70108H-16 NEC QFP D70108H-16.pdf