창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PD20010S-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD20010-E | |
| 기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2GHz | |
| 이득 | 11dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | 5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 150mA | |
| 전력 - 출력 | 10W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | PD20010SE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD20010S-E | |
| 관련 링크 | PD2001, PD20010S-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1812R-474F | 470µH Unshielded Inductor 88mA 26 Ohm Max 2-SMD | 1812R-474F.pdf | |
![]() | M430FG4618 | M430FG4618 TI LQFP | M430FG4618.pdf | |
![]() | SM5520TEV-36.0M | SM5520TEV-36.0M PLETRONICS SMD | SM5520TEV-36.0M.pdf | |
![]() | CS10 12.0000MABJ-UT | CS10 12.0000MABJ-UT ORIGINAL SMD | CS10 12.0000MABJ-UT.pdf | |
![]() | LM1881M/ | LM1881M/ NS SOP8 | LM1881M/.pdf | |
![]() | TDA5632M | TDA5632M phil TSSOP | TDA5632M.pdf | |
![]() | F921A106MBAATF 10V10UF-B B | F921A106MBAATF 10V10UF-B B NICHICON SMD or Through Hole | F921A106MBAATF 10V10UF-B B.pdf | |
![]() | TFM-110-12-S-D | TFM-110-12-S-D SAMTEC SMD or Through Hole | TFM-110-12-S-D.pdf | |
![]() | HD4512BG | HD4512BG HD DIP | HD4512BG.pdf | |
![]() | AN8027-PG | AN8027-PG PANASANT ZIP9 | AN8027-PG.pdf | |
![]() | DHV250V104M | DHV250V104M SHI SMD or Through Hole | DHV250V104M.pdf |