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STMicroelectronics PD20010S-E

PD20010S-E
제조업체 부품 번호
PD20010S-E
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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PD20010S-E 가격 및 조달

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PD20010S-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PD20010S-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PD20010-E
기타 관련 문서PD20010-E View All Specifications
제품 교육 모듈RF Power and RF Power Transistors
Dynamic NFC / RFID Tag
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체STMicroelectronics
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압 - 테스트13.6V
정격 전류5A
잡음 지수-
전류 - 테스트150mA
전력 - 출력10W
전압 - 정격40V
패키지/케이스PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead)
공급 장치 패키지PowerSO-10RF(직선 리드(Lead))
표준 포장 50
다른 이름PD20010SE
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PD20010S-E
관련 링크PD2001, PD20010S-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
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