STMicroelectronics PD20010-E
- 제조업체 부품 번호
- PD20010-E
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- 데이터 시트 다운로드
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PD20010-E 가격 및 조달
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9161 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 14,214.04000
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EIS에는 PD20010-E 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. PD20010-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PD20010-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
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PD20010-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PD20010-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PD20010-E | |
| 기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2GHz | |
| 이득 | 11dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | 5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 150mA | |
| 전력 - 출력 | 10W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PD20010-E | |
| 관련 링크 | PD200, PD20010-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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