홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS5350D,125

NXP Semiconductors PBSS5350D,125

PBSS5350D,125
제조업체 부품 번호
PBSS5350D,125
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS5350D,125 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 113.97672
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS5350D,125 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS5350D,125 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS5350D,125가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS5350D,125 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS5350D,125 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS5350D,125
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS5350D
주요제품NXP - I²C Interface
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)3A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
전력 - 최대750mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름568-7319-2
934055946125
PBSS5350D,125-ND
PBSS5350D125
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS5350D,125
관련 링크PBSS535, PBSS5350D,125 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS5350D,125 의 관련 제품
20MHz ±20ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US TS200F23CET.pdf
RES SMD 324K OHM 0.1% 1/16W 0603 RN73C1J324KBTDF.pdf
LTC3455 LT QFN LTC3455.pdf
PCF-112D1M-2-24V ORIGINAL SMD or Through Hole PCF-112D1M-2-24V.pdf
2N4100 MOT CAN 2N4100.pdf
AD9768JQ AD DIP AD9768JQ.pdf
IR3Y54U SHARP QFN IR3Y54U.pdf
SEC51C802-MTPCB11 SIEMENS QFP100 SEC51C802-MTPCB11.pdf
S3L40U-5000 SHINDENGEN SMD or Through Hole S3L40U-5000.pdf
AD4218N ORIGINAL SMD or Through Hole AD4218N.pdf
UPD1007G-008 NEC SMD or Through Hole UPD1007G-008.pdf
81F643242C-103FN FUJIT SSOP 81F643242C-103FN.pdf