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NXP Semiconductors PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115
제조업체 부품 번호
PBSS5112PAP,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
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내부 부품 번호EIS-PBSS5112PAP,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS5112PAP
주요제품Double Transistors in DFN2020-6 Packages
PCN 설계/사양Material Chg 14/Feb/2016
DFN2020-yy Series Assembly Materials Chg 17/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)120V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic480mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 2V
전력 - 최대510mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-HUSON(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름568-10205-2
934066894115
PBSS5112PAP
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PBSS5112PAP,115
관련 링크PBSS5112P, PBSS5112PAP,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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