창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PBSS4350X,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PBSS4350X | |
| 제품 교육 모듈 | BISS Transistors | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Transistors 8 inch Wafer 18/Feb/2014 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1499 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-4159-2 934055628115 PBSS4350X T/R PBSS4350X T/R-ND PBSS4350X115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PBSS4350X,115 | |
| 관련 링크 | PBSS435, PBSS4350X,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | E82D201VNN561MR30T | CAP ALUM 560UF 200V RADIAL | E82D201VNN561MR30T.pdf | |
![]() | RGL41JHE3/97 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | RGL41JHE3/97.pdf | |
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![]() | BH3562F-E1 | BH3562F-E1 N/A SMD or Through Hole | BH3562F-E1.pdf | |
![]() | P1100SARP | P1100SARP LITTELFU DO-214AA | P1100SARP.pdf | |
![]() | ICS570ATR | ICS570ATR ICS SMD or Through Hole | ICS570ATR.pdf | |
![]() | UPD703033BYGC-J18- | UPD703033BYGC-J18- NEC QFP | UPD703033BYGC-J18-.pdf |