창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PBSS4230PAN,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PBSS4230PAN | |
| 주요제품 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | - | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 290mV @ 200mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 510mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-HUSON(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10201-2 934066883115 PBSS4230PAN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PBSS4230PAN,115 | |
| 관련 링크 | PBSS4230P, PBSS4230PAN,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SMCJ8.5C | TVS DIODE 8.5VWM 15.12VC SMC | SMCJ8.5C.pdf | |
![]() | 1N5401RLG | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | 1N5401RLG.pdf | |
![]() | S4924-183J | 18µH Shielded Inductor 580mA 890 mOhm Max Nonstandard | S4924-183J.pdf | |
![]() | RV0603FR-0716K2L | RES SMD 16.2K OHM 1% 1/10W 0603 | RV0603FR-0716K2L.pdf | |
![]() | ERJ-S06F5360V | RES SMD 536 OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F5360V.pdf | |
![]() | RD3.0M-T1B-B1-A | RD3.0M-T1B-B1-A NEC SMD or Through Hole | RD3.0M-T1B-B1-A.pdf | |
![]() | LHLC10TB682J | LHLC10TB682J TAIYO DIP | LHLC10TB682J.pdf | |
![]() | 2SC3072 Y | 2SC3072 Y ORIGINAL TO-252 | 2SC3072 Y.pdf | |
![]() | 6108-06-G | 6108-06-G ORIGINAL SMD or Through Hole | 6108-06-G.pdf | |
![]() | SS6642-27GXTR | SS6642-27GXTR Silicon SOT89-3 | SS6642-27GXTR.pdf | |
![]() | BZX84C5V1 E9 | BZX84C5V1 E9 Vishay SOT23(3kReel)10788 | BZX84C5V1 E9.pdf | |
![]() | GF4-420GO GEFORCE4 | GF4-420GO GEFORCE4 NVIDIA BGA | GF4-420GO GEFORCE4.pdf |