홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS4160QAZ

NXP Semiconductors PBSS4160QAZ

PBSS4160QAZ
제조업체 부품 번호
PBSS4160QAZ
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 60V 1A 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS4160QAZ 가격 및 조달

가능 수량

13550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 88.80305
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS4160QAZ 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS4160QAZ 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS4160QAZ가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS4160QAZ 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS4160QAZ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS4160QAZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS4160QA
주요제품DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic245mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce85 @ 1A, 2V
전력 - 최대1W
주파수 - 트랜지션180MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010D-3
표준 포장 5,000
다른 이름568-10933-2
934067166147
PBSS4160QA
PBSS4160QAZ-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS4160QAZ
관련 링크PBSS41, PBSS4160QAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS4160QAZ 의 관련 제품
106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) ASDMB-106.250MHZ-LY-T.pdf
278M1602 105M MATSUO 116VP 278M1602 105M.pdf
MLX81200 MLEXIS SMD or Through Hole MLX81200.pdf
ID39SF010-70P STIC DIP-32 ID39SF010-70P.pdf
G6ZK-1P DC9V OMRON SMD or Through Hole G6ZK-1P DC9V.pdf
AD7859BP AD PLCC AD7859BP.pdf
HDL4F23CFF31300 HIT SMD or Through Hole HDL4F23CFF31300.pdf
E1H8G NO 3 SOT-23 E1H8G.pdf
FCP12A ORIGINAL TO- FCP12A.pdf
878344013 ORIGINAL SMD or Through Hole 878344013.pdf
MXF3535L5R50T009 TDK EMIFilter MXF3535L5R50T009.pdf