홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS3540MB,315

NXP Semiconductors PBSS3540MB,315

PBSS3540MB,315
제조업체 부품 번호
PBSS3540MB,315
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS3540MB,315 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 192.74112
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS3540MB,315 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS3540MB,315 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS3540MB,315가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS3540MB,315 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS3540MB,315 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS3540MB,315
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS3540MB DataSheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)40V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic50mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 10mA, 2V
전력 - 최대250mW
주파수 - 트랜지션300MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-XFDFN
공급 장치 패키지3-DFN1006B(.60x1)
표준 포장 10,000
다른 이름568-10520-2
934065878315
PBSS3540MB,315-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS3540MB,315
관련 링크PBSS3540, PBSS3540MB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS3540MB,315 의 관련 제품
0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.080" W(1.27mm x 2.03mm) W2L1ZC104MAT1A.pdf
300nH Unshielded Inductor 178mA 11.5 Ohm Max 2-SMD 5022R-304H.pdf
FDS9934C_NL FAIRCHILD SMD or Through Hole FDS9934C_NL.pdf
TTC-2003 ORIGINAL SMD TTC-2003.pdf
G5V-2-H1-PN-12VDC OMRON DIP G5V-2-H1-PN-12VDC.pdf
1819-0494 OKI SOP16 1819-0494.pdf
AD402JY AD SMD or Through Hole AD402JY.pdf
GM5510C-2.0ST23R GAMMA SOT23-3 GM5510C-2.0ST23R.pdf
GD16590-48BA GIGA QFP48 GD16590-48BA.pdf
LQH4N561K04M00-1 ORIGINAL SMD or Through Hole LQH4N561K04M00-1.pdf
CRT9041N-011 SMC Call CRT9041N-011.pdf