홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » PBSS303NX,115

NXP Semiconductors PBSS303NX,115

PBSS303NX,115
제조업체 부품 번호
PBSS303NX,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 30V 5.1A SOT89
데이터 시트 다운로드
다운로드
PBSS303NX,115 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 211.08489
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PBSS303NX,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PBSS303NX,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PBSS303NX,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PBSS303NX,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PBSS303NX,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PBSS303NX,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PBSS303NX
주요제품NXP - I²C Interface
PCN 설계/사양Resin Hardener 02/Jul/2013
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)5.1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic220mV @ 255mA, 5.1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce250 @ 2A, 2V
전력 - 최대2.1W
주파수 - 트랜지션130MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지SOT-89-3
표준 포장 1,000
다른 이름568-7271-2
934059009115
PBSS303NX T/R
PBSS303NX T/R-ND
PBSS303NX,115-ND
PBSS303NX115
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PBSS303NX,115
관련 링크PBSS303, PBSS303NX,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PBSS303NX,115 의 관련 제품
MICA CDV30FH472GO3F.pdf
DIODE GEN PURP 600V 130A SOT227 VS-UFL250AB60.pdf
AT24C1024B-TH25 ATMEL Standard AT24C1024B-TH25.pdf
ICS952801CFLF IDT 48SSOP(LEADFREE) ICS952801CFLF.pdf
UC2900THAI UNIDEN SMD or Through Hole UC2900THAI.pdf
VI250CV VIC SMD or Through Hole VI250CV.pdf
A08A NSC SSOP-8 A08A.pdf
DYB1503S-1W YAOHUA SIP DYB1503S-1W.pdf
MC75492 ORIGINAL DIP MC75492.pdf
SAA7113AHZ ORIGINAL QFP SAA7113AHZ.pdf
49LV1614-90TC ATMEL TSSOP 49LV1614-90TC.pdf
LDT-600W1120F china CD011 LDT-600W1120F.pdf