창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBLS2001D,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PBLS2001D T/R | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 20V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA, 100nA | |
주파수 - 트랜지션 | 185MHz | |
전력 - 최대 | 600mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-7226-2 934059269115 PBLS2001D T/R PBLS2001D T/R-ND PBLS2001D,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PBLS2001D,115 | |
관련 링크 | PBLS200, PBLS2001D,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | MBA02040C5101DC100 | RES 5.1K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C5101DC100.pdf | |
![]() | GRM3165C1H271JZ01D | GRM3165C1H271JZ01D muRata SMD or Through Hole | GRM3165C1H271JZ01D.pdf | |
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![]() | MTZJT-773.3A | MTZJT-773.3A ROHM DO | MTZJT-773.3A.pdf | |
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![]() | 70HR60 | 70HR60 IR SMD or Through Hole | 70HR60.pdf | |
![]() | LT1812IS5#TRPBF | LT1812IS5#TRPBF LT SMD or Through Hole | LT1812IS5#TRPBF.pdf | |
![]() | AT29C020-12JU | AT29C020-12JU ATMEL PLCC | AT29C020-12JU.pdf | |
![]() | 2SJ668(TE16L1.NQ) | 2SJ668(TE16L1.NQ) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ668(TE16L1.NQ).pdf | |
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