창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PAT0603E6120BST1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PAT Series Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | PAT Series Overview | |
| 주요제품 | PAT Series Thin Film Chip Resistors | |
| PCN 기타 | TF-002-2014-Rev-0 04/Feb/2014 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Vishay Thin Film | |
| 계열 | PAT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 612 | |
| 허용 오차 | ±0.1% | |
| 전력(와트) | 0.15W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0603 | |
| 크기/치수 | 0.064" L x 0.032" W(1.63mm x 0.81mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.46mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PAT0603E6120BST1 | |
| 관련 링크 | PAT0603E6, PAT0603E6120BST1 데이터 시트, Vishay Thin Film 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1121AM2-040.0000T | 40MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AM2-040.0000T.pdf | |
![]() | V62C5181024L-35T | V62C5181024L-35T MOSEL TSOP32 | V62C5181024L-35T.pdf | |
![]() | G6B-2114P-1-US-24VDC | G6B-2114P-1-US-24VDC OMRON SMD or Through Hole | G6B-2114P-1-US-24VDC.pdf | |
![]() | BZV85-C56//1N4758A-TAP | BZV85-C56//1N4758A-TAP NXP DO-41 | BZV85-C56//1N4758A-TAP.pdf | |
![]() | GM76C256CLLFW5W | GM76C256CLLFW5W GOIDSTAR SOP28 | GM76C256CLLFW5W.pdf | |
![]() | L42LA1 | L42LA1 LVQIU SMD or Through Hole | L42LA1.pdf | |
![]() | MAX6397SATA+ | MAX6397SATA+ Maxim SMD or Through Hole | MAX6397SATA+.pdf | |
![]() | UPC741G22 | UPC741G22 NEC SMD or Through Hole | UPC741G22.pdf | |
![]() | NLZ5V6AXV3T1G | NLZ5V6AXV3T1G ON SOT523 | NLZ5V6AXV3T1G.pdf | |
![]() | CL43A476KQJNNNB | CL43A476KQJNNNB SAMSUNG SMD or Through Hole | CL43A476KQJNNNB.pdf | |
![]() | QM2114L12D1 | QM2114L12D1 INTEL DIP | QM2114L12D1.pdf | |
![]() | MAX6411BS44+T | MAX6411BS44+T MAX SC70-6 | MAX6411BS44+T.pdf |