창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NYC228STT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NYC222,26,28STT1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | SCR - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 오프 상태 | 600V | |
전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 800mV | |
전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 200µA | |
전압 - 온 상태(Vtm)(최대) | 1.7V | |
전류 - 온 상태(It (AV))(최대) | - | |
전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 1.5A | |
전류 - 홀드(Ih)(최대) | 5mA | |
전류 - 오프 상태(최대) | 10µA | |
전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 15A @ 60Hz | |
SCR 유형 | 민감형 게이트 | |
작동 온도 | -40°C ~ 110°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | NYC228STT1G-ND NYC228STT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NYC228STT1G | |
관련 링크 | NYC228, NYC228STT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT3907AI-C2-25NB-190.000000T | OSC XO 2.5V 190MHZ | SIT3907AI-C2-25NB-190.000000T.pdf | |
![]() | RT1206DRE0739KL | RES SMD 39K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0739KL.pdf | |
![]() | YC248-FR-073K01L | RES ARRAY 8 RES 3.01K OHM 1606 | YC248-FR-073K01L.pdf | |
![]() | 267M 1602 475MR | 267M 1602 475MR MATSUO B | 267M 1602 475MR.pdf | |
![]() | SM5652-008-D-3-N | SM5652-008-D-3-N SMI SMD-8 | SM5652-008-D-3-N.pdf | |
![]() | RSM1/2FB3.3K-OHM-JL | RSM1/2FB3.3K-OHM-JL N/A SMD or Through Hole | RSM1/2FB3.3K-OHM-JL.pdf | |
![]() | HNC-300EA | HNC-300EA HLB SMD or Through Hole | HNC-300EA.pdf | |
![]() | 3Y31M1 | 3Y31M1 SHARP QFP | 3Y31M1.pdf | |
![]() | MD8288/B C | MD8288/B C ORIGINAL SMD or Through Hole | MD8288/B C.pdf | |
![]() | TM2011AN2C | TM2011AN2C RAYTHEON SMD or Through Hole | TM2011AN2C.pdf | |
![]() | K9F6408UOM-VIBO | K9F6408UOM-VIBO SAMSUNG TSOP | K9F6408UOM-VIBO.pdf |