창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NX2301P,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NX2301P | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10314-2 934064624215 NX2301P,215-ND NX2301P215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NX2301P,215 | |
| 관련 링크 | NX2301, NX2301P,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | VS-88HF80 | DIODE GENERAL PURPOSE 85A DO-5 | VS-88HF80.pdf | |
![]() | 2N4119A | MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF | 2N4119A.pdf | |
![]() | MAX4330EUK+T | MAX4330EUK+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX4330EUK+T.pdf | |
![]() | 2SD602-RTX/WR | 2SD602-RTX/WR NEC SMD or Through Hole | 2SD602-RTX/WR.pdf | |
![]() | R4-6600CS | R4-6600CS ORIGINAL SOP28 | R4-6600CS.pdf | |
![]() | LUC405398686 | LUC405398686 OTHER SMD or Through Hole | LUC405398686.pdf | |
![]() | 2-353186-4 | 2-353186-4 AMP SMD or Through Hole | 2-353186-4.pdf | |
![]() | IDT72141L40B | IDT72141L40B IDT CUDIP28 | IDT72141L40B.pdf | |
![]() | PHB80N03LT | PHB80N03LT NXP TO-263 | PHB80N03LT.pdf | |
![]() | IRFW620 | IRFW620 SEC TO-263 | IRFW620.pdf | |
![]() | FW82801FR,SL79N | FW82801FR,SL79N INTEL SMD or Through Hole | FW82801FR,SL79N.pdf | |
![]() | 25LC160DT-E/ST | 25LC160DT-E/ST MICROCHIP TSSOP | 25LC160DT-E/ST.pdf |