창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NX2301P,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NX2301P | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10314-2 934064624215 NX2301P,215-ND NX2301P215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NX2301P,215 | |
| 관련 링크 | NX2301, NX2301P,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 159.5182.5252 | FUSE CARTRIDGE | 159.5182.5252.pdf | |
![]() | Y00072K08000B9L | RES 2.08K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00072K08000B9L.pdf | |
![]() | STUP5B5 | STUP5B5 EIC DO-214ACSMA | STUP5B5.pdf | |
![]() | MSP430FG437REVG4 | MSP430FG437REVG4 TI QFP80 | MSP430FG437REVG4.pdf | |
![]() | UPG2012TK-A/G3H | UPG2012TK-A/G3H NEC SOT463 | UPG2012TK-A/G3H.pdf | |
![]() | TMS980C136C131PZ | TMS980C136C131PZ TI TQFP100 | TMS980C136C131PZ.pdf | |
![]() | XC95144XL-QG100 | XC95144XL-QG100 XILINX TQFP | XC95144XL-QG100.pdf | |
![]() | SG8002JC25.000000 | SG8002JC25.000000 SEIKO SMD or Through Hole | SG8002JC25.000000.pdf | |
![]() | SIS5595 (B2) | SIS5595 (B2) SIS QFP-100P | SIS5595 (B2).pdf | |
![]() | FQB13N06LTM | FQB13N06LTM ORIGINAL TO-263 | FQB13N06LTM.pdf | |
![]() | 68367-03E003 | 68367-03E003 CERBERUS SMD or Through Hole | 68367-03E003.pdf |