창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NX138BKR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NX138BK | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 265mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 200mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.49nC @ 4.5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20.2pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236AB | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934070058215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NX138BKR | |
| 관련 링크 | NX13, NX138BKR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| ETXH201VSN152MA50S | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | ETXH201VSN152MA50S.pdf | ||
![]() | VJ0805D131GLPAT | 130pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131GLPAT.pdf | |
![]() | FQ7050B-6.000 | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 0°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FQ7050B-6.000.pdf | |
![]() | LTE4206E | LTE4206E LITEON DIP | LTE4206E.pdf | |
![]() | 13003N96 | 13003N96 ORIGINAL TO-92 | 13003N96.pdf | |
![]() | M48T02B-15 | M48T02B-15 ST DIP32 | M48T02B-15.pdf | |
![]() | 2SK2605QT | 2SK2605QT TOSH BULKITO | 2SK2605QT.pdf | |
![]() | SG6513D1 | SG6513D1 SYSTEMGE DIP-14 | SG6513D1.pdf | |
![]() | 2SK1227 | 2SK1227 TOSHIBA TO-92 | 2SK1227.pdf | |
![]() | IDT71V3556S100BG | IDT71V3556S100BG IDT SMD or Through Hole | IDT71V3556S100BG.pdf | |
![]() | CRS507R5DV | CRS507R5DV HOKURIKU SMD | CRS507R5DV.pdf | |
![]() | P87LPC764BD1/CP3237 | P87LPC764BD1/CP3237 NXP SMD or Through Hole | P87LPC764BD1/CP3237.pdf |