창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5826NLWFTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVTFS5826NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVTFS5826NLWFTWG | |
| 관련 링크 | NVTFS5826, NVTFS5826NLWFTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | F1772SX241231KI0W0 | 0.12µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | F1772SX241231KI0W0.pdf | |
![]() | BFC237935134 | 0.13µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC237935134.pdf | |
![]() | FQB1P50TM | MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK | FQB1P50TM.pdf | |
![]() | RN73C1J13R7BTG | RES SMD 13.7 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J13R7BTG.pdf | |
![]() | CRCW0805140KFKEAHP | RES SMD 140K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW0805140KFKEAHP.pdf | |
![]() | BG307A | BG307A ORIGINAL DIP | BG307A.pdf | |
![]() | NFM61R00T361T1M00-57/T250 | NFM61R00T361T1M00-57/T250 MURATA NA | NFM61R00T361T1M00-57/T250.pdf | |
![]() | TS914I | TS914I ST SOP | TS914I.pdf | |
![]() | 10037912-119LF | 10037912-119LF FCI SMD or Through Hole | 10037912-119LF.pdf | |
![]() | KDY15D1212-1W | KDY15D1212-1W YAOHUA SIP | KDY15D1212-1W.pdf | |
![]() | GM61RN | GM61RN ORIGINAL QUALCOMM | GM61RN.pdf | |
![]() | 7500 32M 216Q7CCBGA13 | 7500 32M 216Q7CCBGA13 ORIGINAL BGA | 7500 32M 216Q7CCBGA13.pdf |