창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5820NLTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVTFS5820NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 8.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1462pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | NVTFS5820NLTWG-ND NVTFS5820NLTWGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVTFS5820NLTWG | |
| 관련 링크 | NVTFS582, NVTFS5820NLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW0805383RBEEA | RES SMD 383 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805383RBEEA.pdf | |
![]() | Y17452K40000T9L | RES SMD 2.4K OHM 1/4W J LEAD | Y17452K40000T9L.pdf | |
![]() | MBB02070C7502FC100 | RES 75K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C7502FC100.pdf | |
![]() | CMF70681R00FKRE70 | RES 681 OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70681R00FKRE70.pdf | |
![]() | CDSC706-T05C | CDSC706-T05C BOURNS SMD or Through Hole | CDSC706-T05C.pdf | |
![]() | 0805CS-331EJTS | 0805CS-331EJTS DELTA SMD | 0805CS-331EJTS.pdf | |
![]() | 960259 | 960259 F DIP16 | 960259.pdf | |
![]() | P20W242 | P20W242 HUIYUAN ROHS | P20W242.pdf | |
![]() | REF3230AIDBVTG4 | REF3230AIDBVTG4 TI SOT-23-6 | REF3230AIDBVTG4.pdf | |
![]() | SB50112R2ML | SB50112R2ML ABC SMD or Through Hole | SB50112R2ML.pdf | |
![]() | CS8414A-CSZ | CS8414A-CSZ CIRRUS SOP | CS8414A-CSZ.pdf | |
![]() | D799D | D799D NEC CDIP | D799D.pdf |