창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5820NLTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5820NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 8.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1462pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NVTFS5820NLTAG-ND NVTFS5820NLTAGOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5820NLTAG | |
관련 링크 | NVTFS582, NVTFS5820NLTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445A22B25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22B25M00000.pdf | |
![]() | SIT5021AC-2DE-33E-81.920000T | OSC XO 3.3V 81.92MHZ OE NO PULL | SIT5021AC-2DE-33E-81.920000T.pdf | |
![]() | FXO-HC736-3.6864 | 3.6864MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC736-3.6864.pdf | |
![]() | EMP8020-28VI05NRR | EMP8020-28VI05NRR ELITE SC70-5 | EMP8020-28VI05NRR.pdf | |
![]() | 500R210 | 500R210 Holmes SMD or Through Hole | 500R210.pdf | |
![]() | IDT2308-5HPGG8 | IDT2308-5HPGG8 IDT SMD or Through Hole | IDT2308-5HPGG8.pdf | |
![]() | TLP283GB | TLP283GB TOS SOP4 | TLP283GB.pdf | |
![]() | 8809CSNG4H99 | 8809CSNG4H99 TOSHIBA DIP | 8809CSNG4H99.pdf | |
![]() | NDF10N60ZG-ON# | NDF10N60ZG-ON# ON SMD or Through Hole | NDF10N60ZG-ON#.pdf | |
![]() | 431EZR | 431EZR CATALYST TO-92 | 431EZR.pdf | |
![]() | MB89567-705 | MB89567-705 FUJ QFP | MB89567-705.pdf | |
![]() | EEEHA2A4R7P | EEEHA2A4R7P PANASONIC SMD or Through Hole | EEEHA2A4R7P.pdf |