창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4C25NTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS4C25N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.1A(Ta), 22.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS4C25NTAG | |
관련 링크 | NVTFS4C, NVTFS4C25NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D101MLAAJ | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101MLAAJ.pdf | ||
S3BR10 | BRIDGE RECT 2A 1KV PCB | S3BR10.pdf | ||
57C51C-55DI | 57C51C-55DI WSI CDIP28 | 57C51C-55DI.pdf | ||
SMBG70A | SMBG70A VISHAY DO-215AA | SMBG70A.pdf | ||
MAS9124AST6-T | MAS9124AST6-T MAS SOT23-5 | MAS9124AST6-T.pdf | ||
25v100uf YXG | 25v100uf YXG ORIGINAL SMD or Through Hole | 25v100uf YXG.pdf | ||
RN73F1JTDB2002 | RN73F1JTDB2002 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN73F1JTDB2002.pdf | ||
JMGSCD-12P | JMGSCD-12P TYCO SMD or Through Hole | JMGSCD-12P.pdf | ||
ISPLSI2096 100LQ | ISPLSI2096 100LQ ORIGINAL QFP | ISPLSI2096 100LQ.pdf | ||
DR21-1270-100M | DR21-1270-100M JETTEK SMD or Through Hole | DR21-1270-100M.pdf | ||
LQH3N100J04M00-01 | LQH3N100J04M00-01 MURATA S1210 | LQH3N100J04M00-01.pdf |