창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4C08NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVTFS4C08N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1113pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVTFS4C08NTAG | |
| 관련 링크 | NVTFS4C, NVTFS4C08NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VS-30WQ03FNTRRPBF | DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK | VS-30WQ03FNTRRPBF.pdf | |
![]() | HKQ0603W3N6C-T | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W3N6C-T.pdf | |
![]() | CRCW20108M20JNTF | RES SMD 8.2M OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20108M20JNTF.pdf | |
![]() | PLT0603Z2492LBTS | RES SMD 24.9K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z2492LBTS.pdf | |
![]() | 300V | 300V ORIGINAL 1W | 300V.pdf | |
![]() | WE28508 | WE28508 ORIGINAL TO-92 | WE28508.pdf | |
![]() | CR5527S | CR5527S PHILIPS SIP-12 | CR5527S.pdf | |
![]() | CDCVF2509APWG4 | CDCVF2509APWG4 TI/BB TSSOP24 | CDCVF2509APWG4.pdf | |
![]() | ST3401M | ST3401M STANSON SOT-23-3L | ST3401M.pdf | |
![]() | 18-30X1W | 18-30X1W CF SMD or Through Hole | 18-30X1W.pdf | |
![]() | FCF05JT-680 | FCF05JT-680 PDC SMD or Through Hole | FCF05JT-680.pdf | |
![]() | AGU | AGU INTERSIL SOT23-5 | AGU.pdf |