창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C670NLWFT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5C670NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 71A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5C670NLWFT1G | |
관련 링크 | NVMFS5C670, NVMFS5C670NLWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
TSX-3225 16.0000MF18X-B3 | 16MHz ±10ppm 수정 16pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | TSX-3225 16.0000MF18X-B3.pdf | ||
CMF5519K300BHR6 | RES 19.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5519K300BHR6.pdf | ||
222237101E3- | 222237101E3- VISHAY DIP | 222237101E3-.pdf | ||
MC529(4EUM) | MC529(4EUM) FREESCALE QFN | MC529(4EUM).pdf | ||
G6CU-2114P-US DC6V | G6CU-2114P-US DC6V OMRON SMD or Through Hole | G6CU-2114P-US DC6V.pdf | ||
SCH2809 | SCH2809 SANYO SMD or Through Hole | SCH2809.pdf | ||
SG-615PC16.3840MHZ | SG-615PC16.3840MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG-615PC16.3840MHZ.pdf | ||
PSD303-15J | PSD303-15J WSI PLCC | PSD303-15J.pdf | ||
71764-0018 | 71764-0018 Molex SMD or Through Hole | 71764-0018.pdf | ||
LBS6028-4R7MT | LBS6028-4R7MT TAIYO SMD | LBS6028-4R7MT.pdf | ||
MAX3516EUPDV | MAX3516EUPDV MAXIM TSSOP20 | MAX3516EUPDV.pdf |