창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C646NLWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C646NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 93A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2164pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C646NLWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C646, NVMFS5C646NLWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 406C35B16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35B16M00000.pdf | |
![]() | CMF551M2700BHEA | RES 1.27M OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551M2700BHEA.pdf | |
![]() | ICL7667SIBAZ | ICL7667SIBAZ INTERSIL SOP-8 | ICL7667SIBAZ.pdf | |
![]() | SG-8002DC29.491200MHZ | SG-8002DC29.491200MHZ EPSON DIP4 | SG-8002DC29.491200MHZ.pdf | |
![]() | SN75119DR | SN75119DR TI SOP-8 | SN75119DR.pdf | |
![]() | ADM202EARH | ADM202EARH ADI SOP | ADM202EARH.pdf | |
![]() | HU32G221MCAWPEC | HU32G221MCAWPEC HIT DIP | HU32G221MCAWPEC.pdf | |
![]() | X25057SG-1.8 | X25057SG-1.8 INTERSIL SOP8 | X25057SG-1.8.pdf | |
![]() | 0402 X5R 184 M 100NT | 0402 X5R 184 M 100NT TASUND SMD or Through Hole | 0402 X5R 184 M 100NT.pdf | |
![]() | FX8-60P-SV1 92 | FX8-60P-SV1 92 HRS SMD or Through Hole | FX8-60P-SV1 92.pdf | |
![]() | MD82188C | MD82188C INTEL DIP | MD82188C.pdf | |
![]() | LDBK3333/P1 | LDBK3333/P1 LIGITEK ROHS | LDBK3333/P1.pdf |