창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C604NLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C604NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta), 287A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C604NLT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C60, NVMFS5C604NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| AT-12.000MAGK-T | 12MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-12.000MAGK-T.pdf | ||
![]() | TZVY2R200A110T00(TZY | TZVY2R200A110T00(TZY MuRata 2.00mm | TZVY2R200A110T00(TZY.pdf | |
![]() | 74F821SCX | 74F821SCX NS SMD or Through Hole | 74F821SCX.pdf | |
![]() | BDT8807 | BDT8807 ORIGINAL SOT89-3L | BDT8807.pdf | |
![]() | TDA8373 | TDA8373 PHILIPS DIP56 | TDA8373.pdf | |
![]() | MLF2012DR1JT | MLF2012DR1JT TDK SMD or Through Hole | MLF2012DR1JT.pdf | |
![]() | EDE1108AFBG-8G-F | EDE1108AFBG-8G-F ELPIDA BGA | EDE1108AFBG-8G-F.pdf | |
![]() | B1-A230 | B1-A230 SIEMEMS SMD or Through Hole | B1-A230.pdf | |
![]() | 1934887 | 1934887 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1934887.pdf | |
![]() | RC875NP-151J-50 | RC875NP-151J-50 SUMIDA RC87550 | RC875NP-151J-50.pdf | |
![]() | C51A-5 | C51A-5 ORIGINAL CAN | C51A-5.pdf | |
![]() | ADS7864Y-250 | ADS7864Y-250 ORIGINAL SMD or Through Hole | ADS7864Y-250.pdf |