창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C442NLWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5C442NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Ta), 127A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5C442NLWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS5C442, NVMFS5C442NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RMCP2010FT4K99 | RES SMD 4.99K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT4K99.pdf | |
![]() | CMF605R2300FKR6 | RES 5.23 OHM 1W 1% AXIAL | CMF605R2300FKR6.pdf | |
![]() | KM416C1201CT-5 | KM416C1201CT-5 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM416C1201CT-5.pdf | |
![]() | 5800A080021 | 5800A080021 TRANSMETA BGA | 5800A080021.pdf | |
![]() | STRS6525 | STRS6525 SANKEN SMD or Through Hole | STRS6525.pdf | |
![]() | fkp1630v0.01uf | fkp1630v0.01uf wim SMD or Through Hole | fkp1630v0.01uf.pdf | |
![]() | A1415A. | A1415A. INFINEON QFP | A1415A..pdf | |
![]() | PCIMX51AVM | PCIMX51AVM ORIGINAL BGA | PCIMX51AVM.pdf | |
![]() | LM15D | LM15D EPCOS DFN-422 | LM15D.pdf | |
![]() | G770(40*40) | G770(40*40) ORIGINAL BGA | G770(40*40).pdf | |
![]() | TDA4750 | TDA4750 PHI DIP | TDA4750.pdf |