창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C410NLT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5C410NL | |
PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Ta), 315A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8862pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5C410NLT3G | |
관련 링크 | NVMFS5C41, NVMFS5C410NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MCR25JZHJ560 | RES SMD 56 OHM 5% 1/4W 1210 | MCR25JZHJ560.pdf | |
![]() | PIC16C57C-04I/SO | PIC16C57C-04I/SO MICROCHIP sop | PIC16C57C-04I/SO.pdf | |
![]() | D6125A-512 | D6125A-512 NEC SMD or Through Hole | D6125A-512.pdf | |
![]() | NFM61R00T101T1M00-57 | NFM61R00T101T1M00-57 MURATA 1808 | NFM61R00T101T1M00-57.pdf | |
![]() | Y14F/Y3F | Y14F/Y3F YUANZE SMD or Through Hole | Y14F/Y3F.pdf | |
![]() | TMP86C807N-5HV7 | TMP86C807N-5HV7 TOS DIP-28 | TMP86C807N-5HV7.pdf | |
![]() | LT1085IK | LT1085IK LT SMD or Through Hole | LT1085IK.pdf | |
![]() | RAL-9WZ-K | RAL-9WZ-K TAKAMISAW SMD or Through Hole | RAL-9WZ-K.pdf | |
![]() | FSUT157BPB | FSUT157BPB IMI SMD or Through Hole | FSUT157BPB.pdf | |
![]() | RD5.6MW-TIB | RD5.6MW-TIB NEC SOT-23 | RD5.6MW-TIB.pdf | |
![]() | TDA3806 | TDA3806 PHILIPS SMD or Through Hole | TDA3806.pdf |