창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5833NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS5833, NVMFS5833NWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 170M7071 | FUSE 4000A 600V 4BKN/65 AR | 170M7071.pdf | |
![]() | SIT8008BI-12-33E-53.946054E | OSC XO 3.3V 53.946054MHZ | SIT8008BI-12-33E-53.946054E.pdf | |
THS501R8J | RES CHAS MNT 1.8 OHM 5% 50W | THS501R8J.pdf | ||
![]() | SQS16A33R0JLLF7 | SQS16A33R0JLLF7 BCK SMD or Through Hole | SQS16A33R0JLLF7.pdf | |
![]() | LM5046EVAL/NOPB | LM5046EVAL/NOPB ORIGINAL SMD or Through Hole | LM5046EVAL/NOPB.pdf | |
![]() | NCB0603R121TR | NCB0603R121TR CN O603 | NCB0603R121TR.pdf | |
![]() | 0-0536272-3 | 0-0536272-3 AMP SMD or Through Hole | 0-0536272-3.pdf | |
![]() | EKY-6R3EC3472MK30S | EKY-6R3EC3472MK30S NCC SMD or Through Hole | EKY-6R3EC3472MK30S.pdf | |
![]() | 766141103G | 766141103G STS SOP-14P | 766141103G.pdf | |
![]() | TRW8322/H | TRW8322/H TRW CDIPJ | TRW8322/H.pdf | |
![]() | WE618NC | WE618NC ORIGINAL IC | WE618NC.pdf | |
![]() | PHM014-4 | PHM014-4 POLYFET SMD or Through Hole | PHM014-4.pdf |