창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4C01NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS4C01N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Ta), 319A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.9 m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10144pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.84W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS4C01NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS4C01, NVMFS4C01NWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CBR08C120G5GAC | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C120G5GAC.pdf | ||
NDF45A | NDF45A ORIGINAL 4P | NDF45A.pdf | ||
TDM-340NA | TDM-340NA HALO SMD or Through Hole | TDM-340NA.pdf | ||
B59801D80A40 | B59801D80A40 TDK-EPC SMD or Through Hole | B59801D80A40.pdf | ||
EC0055-000 | EC0055-000 ORIGINAL SMD or Through Hole | EC0055-000.pdf | ||
R474I2150DQ01M | R474I2150DQ01M KEMET SMD or Through Hole | R474I2150DQ01M.pdf | ||
5.0SMLJ90A | 5.0SMLJ90A MCC DO-214ABSMC | 5.0SMLJ90A.pdf | ||
CM1200HD-66H | CM1200HD-66H ORIGINAL SMD or Through Hole | CM1200HD-66H.pdf | ||
CD1608CR39KT | CD1608CR39KT SAMWHA SMD | CD1608CR39KT.pdf | ||
XC2S600E-6FG456 | XC2S600E-6FG456 ORIGINAL BGA | XC2S600E-6FG456.pdf | ||
RC1210JR-07430RL 1210 430R | RC1210JR-07430RL 1210 430R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1210JR-07430RL 1210 430R.pdf |