창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4841NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS4841N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1436pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS4841NT1G | |
관련 링크 | NVMFS48, NVMFS4841NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM0335C1H8R2CA01J | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H8R2CA01J.pdf | ||
BFC237665163 | 0.016µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC237665163.pdf | ||
PALLV20V8Z-25JI | PALLV20V8Z-25JI AMD PLCC | PALLV20V8Z-25JI.pdf | ||
SSP60NE10 | SSP60NE10 FAI TO220-3 | SSP60NE10.pdf | ||
DAC2813BP | DAC2813BP BB DIP | DAC2813BP.pdf | ||
ADSP2104-66 | ADSP2104-66 AD PLCC68 | ADSP2104-66.pdf | ||
74HC295D | 74HC295D ph SMD or Through Hole | 74HC295D.pdf | ||
FFE1070MA11 | FFE1070MA11 TDK SMD or Through Hole | FFE1070MA11.pdf | ||
K7P401822BHC20 | K7P401822BHC20 SAMSUNG SOP | K7P401822BHC20.pdf | ||
AUK 2N3904 1AM | AUK 2N3904 1AM ORIGINAL SOT-23 | AUK 2N3904 1AM.pdf | ||
FBM-L11-322513-121A | FBM-L11-322513-121A ORIGINAL SMD or Through Hole | FBM-L11-322513-121A.pdf | ||
ADC5212H/B | ADC5212H/B AD AUDIP24 | ADC5212H/B.pdf |