ON Semiconductor NVMFD5853NWFT1G

NVMFD5853NWFT1G
제조업체 부품 번호
NVMFD5853NWFT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFD5853NWFT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 910.15000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFD5853NWFT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFD5853NWFT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFD5853NWFT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFD5853NWFT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFD5853NWFT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFD5853NWFT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFD5853N(WF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1225pF @ 25V
전력 - 최대3.1W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFD5853NWFT1G
관련 링크NVMFD5853, NVMFD5853NWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFD5853NWFT1G 의 관련 제품
1500µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 83 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C B41505A158M2.pdf
4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) 1210AC472KAT2A.pdf
BRIDGE RECT 18A 150V SCAS15FF.pdf
LED Lighting XLamp® ML-C White, Cool 6200K 3.2V 100mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad MLCAWT-A1-0000-000X50.pdf
SRHQ5D18-150M ORIGINAL SMD or Through Hole SRHQ5D18-150M.pdf
55152/BEAJC TI CDIP-16 55152/BEAJC.pdf
EL9739ACS AMD QFP EL9739ACS.pdf
C2264-003 SIGNETICS SMD or Through Hole C2264-003.pdf
C3391-28.000MHZ CRYSTAL 57-4P C3391-28.000MHZ.pdf
UN2222CN ORIGINAL CDIP UN2222CN.pdf
P5870 SHARPLED SMD or Through Hole P5870.pdf