창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5489NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5489NLT(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5489NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD5489, NVMFD5489NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | H8324RBDA | RES 324 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8324RBDA.pdf | |
![]() | 448120002 | 448120002 MOLEX SMD or Through Hole | 448120002.pdf | |
![]() | 10172FB | 10172FB S DIP16 | 10172FB.pdf | |
![]() | KBE00S00AA | KBE00S00AA SAMSUNG BGA | KBE00S00AA.pdf | |
![]() | LC5874-1757 | LC5874-1757 SANYO QFP | LC5874-1757.pdf | |
![]() | BMP-12/1.65-Q12-C | BMP-12/1.65-Q12-C ORIGINAL SMD or Through Hole | BMP-12/1.65-Q12-C.pdf | |
![]() | MN15342VGC3 | MN15342VGC3 Panasonic DIP | MN15342VGC3.pdf | |
![]() | SN74AHCT273DW | SN74AHCT273DW TI SOIC-20 | SN74AHCT273DW.pdf | |
![]() | HB2P003D | HB2P003D ORIGINAL SMD or Through Hole | HB2P003D.pdf | |
![]() | TL4242DRJR-P | TL4242DRJR-P TI/BB SMD or Through Hole | TL4242DRJR-P.pdf | |
![]() | BBY52-02W/K | BBY52-02W/K ORIGINAL O6O3 | BBY52-02W/K.pdf | |
![]() | 5532903-2 | 5532903-2 AMP ORIGINAL | 5532903-2.pdf |