창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5485NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5485NL(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5485NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD548, NVMFD5485NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E5R6CA01D | 5.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E5R6CA01D.pdf | |
![]() | CRCW080533R0JNEAHP | RES SMD 33 OHM 5% 1/2W 0805 | CRCW080533R0JNEAHP.pdf | |
![]() | MB831000-20 | MB831000-20 ORIGINAL DIP28 | MB831000-20.pdf | |
![]() | LA3240 | LA3240 SANYO DIP24 | LA3240.pdf | |
![]() | LG2040-PE | LG2040-PE ORIGINAL SMD or Through Hole | LG2040-PE.pdf | |
![]() | BA05CCOWFP | BA05CCOWFP ROHM TO252 | BA05CCOWFP.pdf | |
![]() | LA76327A | LA76327A SANYO QFP | LA76327A.pdf | |
![]() | CXA099 | CXA099 SONY DIP | CXA099.pdf | |
![]() | Z8440B DSD | Z8440B DSD GOLDSTAR DIP40 | Z8440B DSD.pdf | |
![]() | MAX409BESA-T | MAX409BESA-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX409BESA-T.pdf | |
![]() | 2SA608KE-NP | 2SA608KE-NP SANYO TO-92 | 2SA608KE-NP.pdf | |
![]() | EKRG160ETC330ME07D | EKRG160ETC330ME07D Chemi-con NA | EKRG160ETC330ME07D.pdf |