창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVF2955T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTF2955,NVF2955 | |
PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 750mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 492pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223(TO-261) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | NVF2955T1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVF2955T1G | |
관련 링크 | NVF295, NVF2955T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
LD053A332FAB2A | 3300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD053A332FAB2A.pdf | ||
SRR1806-331M | 330µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 790 mOhm Nonstandard | SRR1806-331M.pdf | ||
IS61WV51216BLL-10TL | IS61WV51216BLL-10TL ISSI SOP | IS61WV51216BLL-10TL.pdf | ||
CAT25080VIGT3 | CAT25080VIGT3 ON SOP | CAT25080VIGT3.pdf | ||
ICS859S1601BGILF | ICS859S1601BGILF MAXIM SMD | ICS859S1601BGILF.pdf | ||
862950433 | 862950433 MOIEX SMD or Through Hole | 862950433.pdf | ||
503948051 | 503948051 MOLEX SMD or Through Hole | 503948051.pdf | ||
PS2845-4 | PS2845-4 NEC SOP | PS2845-4.pdf | ||
0402E104M250NT | 0402E104M250NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402E104M250NT.pdf | ||
ADC1241LJ | ADC1241LJ NS DIP | ADC1241LJ.pdf | ||
LH1056AAB1 | LH1056AAB1 VIS SOP-6 | LH1056AAB1.pdf | ||
HAL-118/100W | HAL-118/100W ZEXT SMD or Through Hole | HAL-118/100W.pdf |