창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD4804NT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD4804N | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound Update 25/Feb/2015 Mold Compound Revision 24/Apr/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.5A(Ta), 124A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 11.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4490pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 1.43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NVD4804NT4G-ND NVD4804NT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVD4804NT4G | |
관련 링크 | NVD480, NVD4804NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D330KLCAC | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330KLCAC.pdf | ||
1210AA821JAT3A | 820pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210AA821JAT3A.pdf | ||
BBD6001A030A | BBD6001A030A AKI N A | BBD6001A030A.pdf | ||
14-5805-020-000-829 | 14-5805-020-000-829 ELCO SMD or Through Hole | 14-5805-020-000-829.pdf | ||
CY7C342B-30 JC | CY7C342B-30 JC CYP plcc64 | CY7C342B-30 JC.pdf | ||
PC33897 | PC33897 ORIGINAL SOP | PC33897.pdf | ||
HK1005-22NJ | HK1005-22NJ TAIYO SMD or Through Hole | HK1005-22NJ.pdf | ||
10732/CARCLO | 10732/CARCLO CARCLOTECHNICALP SMD or Through Hole | 10732/CARCLO.pdf | ||
S-80718AN-D-T1 SOT89-DF | S-80718AN-D-T1 SOT89-DF SEIKO SMD or Through Hole | S-80718AN-D-T1 SOT89-DF.pdf | ||
RA8173 | RA8173 F SOP24 | RA8173.pdf | ||
ERTJ0EM103J | ERTJ0EM103J PANASONIC SMD | ERTJ0EM103J.pdf | ||
PDZ12B/T1 | PDZ12B/T1 NXP/PH SMD or Through Hole | PDZ12B/T1.pdf |