창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVB6410ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTB/NTP/NVB6410AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 76A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVB6410ANT4G | |
관련 링크 | NVB6410, NVB6410ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
2SB1302S-TD-E | TRANS PNP 20V 5A SOT89-3 | 2SB1302S-TD-E.pdf | ||
8532R-35L | 680µH Unshielded Inductor 490mA 1.5 Ohm Max Nonstandard | 8532R-35L.pdf | ||
MLF2012E100MTD25 | 10µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 800 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012E100MTD25.pdf | ||
SL1720-221K1R8-PF | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 130 mOhm Max Radial | SL1720-221K1R8-PF.pdf | ||
2309100401 | 2309100401 DAEWOO PLCC-84 | 2309100401.pdf | ||
CR0805D12100332K1% | CR0805D12100332K1% DRALORIC SMD or Through Hole | CR0805D12100332K1%.pdf | ||
FOXSD250F20 | FOXSD250F20 FOX SMD or Through Hole | FOXSD250F20.pdf | ||
SY100EPT23VKC TR | SY100EPT23VKC TR MICREL MSOP-8 | SY100EPT23VKC TR.pdf | ||
D6345G | D6345G NEC SOP | D6345G.pdf | ||
S3DHE3/9AT | S3DHE3/9AT VISHAY SMD or Through Hole | S3DHE3/9AT.pdf | ||
C1206X683K50NT | C1206X683K50NT GLORIA 1206 | C1206X683K50NT.pdf | ||
LM319D,602 | LM319D,602 NXP SMD or Through Hole | LM319D,602.pdf |