창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C13NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4C13N | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 Wafer Fab Site Addition 18/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 780mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4C13NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C13NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SR211C224KAA | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C224KAA.pdf | |
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![]() | RMCF0402FT430R | RES SMD 430 OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT430R.pdf | |
![]() | 520734 | 520734 ICS BGA | 520734.pdf | |
![]() | 6FG1G | 6FG1G SANYO BGA | 6FG1G.pdf | |
![]() | B2403T-1W | B2403T-1W MORNSUN SMD | B2403T-1W.pdf | |
![]() | ER11B | ER11B AUK SMB | ER11B.pdf | |
![]() | A50L-2001-0323 | A50L-2001-0323 TOSHIBA SMD or Through Hole | A50L-2001-0323.pdf | |
![]() | CRS10102DV | CRS10102DV HOKURIKU SMD | CRS10102DV.pdf | |
![]() | 08M01 3 | 08M01 3 MOTOROLA QFP | 08M01 3.pdf | |
![]() | MB74LS139 S | MB74LS139 S FUJ DIP | MB74LS139 S.pdf | |
![]() | UPD75308GF-T82-3B9 | UPD75308GF-T82-3B9 NEC SMD or Through Hole | UPD75308GF-T82-3B9.pdf |