창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4C10NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4C10N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.2A(Ta), 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 993pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 790mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4C10NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS4C, NTTFS4C10NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3808AI-2-28SX | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Standby | SIT3808AI-2-28SX.pdf | |
| RB6532-16-0M8 | 800µH @ 1kHz 3 Line Common Mode Choke Through Hole 16A DCR 4.7 mOhm (Typ) | RB6532-16-0M8.pdf | ||
![]() | RT0201FRE07845RL | RES SMD 845 OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE07845RL.pdf | |
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![]() | 54F10/B2CJC | 54F10/B2CJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54F10/B2CJC.pdf | |
![]() | CTV350S.V1.0 | CTV350S.V1.0 PHILIPS DIP | CTV350S.V1.0.pdf | |
![]() | CF61A6002(9188736Y01 | CF61A6002(9188736Y01 TDK SMD or Through Hole | CF61A6002(9188736Y01.pdf | |
![]() | LGHK10051N2S | LGHK10051N2S TAIYO 0402-1N2S | LGHK10051N2S.pdf | |
![]() | FSF10D60 | FSF10D60 ORIGINAL TO-220F | FSF10D60.pdf | |
![]() | ERJ2GEJ475X | ERJ2GEJ475X NIPPON DIP-2 | ERJ2GEJ475X.pdf | |
![]() | RPC25124F | RPC25124F ORIGINAL SMD or Through Hole | RPC25124F.pdf | |
![]() | 0402CS-5N6XGLU | 0402CS-5N6XGLU COILCRAFT SMD or Through Hole | 0402CS-5N6XGLU.pdf |