창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4932NTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4932N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3111pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4932NTWG | |
| 관련 링크 | NTTFS49, NTTFS4932NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC0402DR-0711KL | RES SMD 11K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-0711KL.pdf | |
![]() | RC1210JR-073R3L | RES SMD 3.3 OHM 5% 1/2W 1210 | RC1210JR-073R3L.pdf | |
![]() | PWR3014WR680FE | RES SMD 0.68 OHM 1% 1W 3014 | PWR3014WR680FE.pdf | |
![]() | CL4490-RS232 | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ RP-SMA | CL4490-RS232.pdf | |
![]() | LTC3609EWKG | LTC3609EWKG LT SMD or Through Hole | LTC3609EWKG.pdf | |
![]() | 78L12 8G113 | 78L12 8G113 GC SOT-89 | 78L12 8G113.pdf | |
![]() | UD5Y102P0708DT | UD5Y102P0708DT ORIGINAL SMD or Through Hole | UD5Y102P0708DT.pdf | |
![]() | HX1012-AGS | HX1012-AGS HEXIN SOP8 | HX1012-AGS.pdf | |
![]() | RF-WUB170DS-DC | RF-WUB170DS-DC REFOND SMD or Through Hole | RF-WUB170DS-DC.pdf | |
![]() | TPS22069IDBR | TPS22069IDBR TEXASINSTRUMENTS ORIGINAL | TPS22069IDBR.pdf | |
![]() | WEOS4-50/220AS | WEOS4-50/220AS WY SMB | WEOS4-50/220AS.pdf | |
![]() | XC2S600E-5FG456I | XC2S600E-5FG456I XILINX BGA | XC2S600E-5FG456I.pdf |