창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4929NTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4929N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Ta), 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 810mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4929NTWG | |
| 관련 링크 | NTTFS49, NTTFS4929NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32924H3475M000 | 4.7µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.866" W (31.50mm x 22.00mm) | B32924H3475M000.pdf | |
![]() | 4470R-15J | 15µH Unshielded Molded Inductor 1.3A 300 mOhm Max Axial | 4470R-15J.pdf | |
![]() | 80V33000UF | 80V33000UF HITACHI DIP | 80V33000UF.pdf | |
![]() | BSW67A | BSW67A PHI 3L | BSW67A.pdf | |
![]() | TC558128AJ-20EL | TC558128AJ-20EL TOSHIBA SMD or Through Hole | TC558128AJ-20EL.pdf | |
![]() | STW25NM50 | STW25NM50 ST TO-247 | STW25NM50.pdf | |
![]() | 2SK3901 | 2SK3901 Renesas TO-263 | 2SK3901.pdf | |
![]() | IDT71V3558S-100PF | IDT71V3558S-100PF IDT SMD or Through Hole | IDT71V3558S-100PF.pdf | |
![]() | DS7516BN | DS7516BN NS SMD or Through Hole | DS7516BN.pdf | |
![]() | GBXDC0211 | GBXDC0211 TER CONN | GBXDC0211.pdf | |
![]() | 2SK3518-01MR-F119 | 2SK3518-01MR-F119 FUJI TO-220F | 2SK3518-01MR-F119.pdf |